个人简介：
朱丽虹，1982年2月生，博士，厦门大学电子科学系高级工程师，福建省半导体照明工程技术研究中心和厦门市半导体照明检测认证中心成员。2010年厦门大学物理系微电子学与固体电子学专业博士毕业。目前主要从事GaN基半导体材料生长和发光器件的研究以及半导体发光器件性能的测试研究工作。已在国内外重要学术刊物上发表多篇学术论文。
联系方式：
Email: lhzhu@xmu.edu.cn
Tel: 0592-2181681
Cell: 13799251493
研究方向：
GaN基材料生长和发光器件的研究
半导体照明检测技术
科研项目
☻ 国家自然科学基金：GaN基LED材料中极化场调控的研究，2012.1-2014.12. 主持
☻ 863计划其他类：低成本、高可靠、标准化的LED照明及智能集成系统研发及示范，2013.1-2015.12. 参与
☻ 福建省发改委产业技术研究开发项目：高可靠性超薄灯驱合一LED大屏幕全彩显示屏在线自动测试系统及产 业化技术，2013.1-2015.12. 参与
☻ 福建省科技计划重点项目：高效 AC-LED 照明关键技术研发，2012.3-2015.2. 参与
☻ 福建省高校产学研重大专项，大功率LED照明芯片的封装和检测关键技术与产业化2011.4-2013.11. 参与
☻ 科技服务项目: 光电器件的光电性能测试分析，2011.1-2011.12. 参与
☻ 科技服务项目: 大功率LED光电热特性测试分析，2012.6-2013.6. 主持
著作
♦ 《太阳能技术知识读本》(美David Thorpe 等编著，刘宝林，朱丽虹，蔡加法 译 ISBN：9787111439912，机械工业出版社，2014年1月第一版
♦ 《绿色照明知识读本》 (美)霍华德 等编著，刘宝林，蔡加法，朱丽虹 译 ISBN：9787111373049，机械工业出版社，2012年2月第一版
专利和软件著作权
★ 刘宝林，朱丽虹，一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法，2011，专利号：ZL2010101572288
★ 朱丽虹， 刘宝林，刘维翠，一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法2012，专利号：201210568649.4，公开日：2013.03.13
★ 朱丽虹，肖华，吕毅军，高玉琳，陈国龙，陈忠，一种蓝光LED激发荧光粉的性能测试装置及方法，专利号：201310196584.X，公开日：2013.09.18
★ 吕毅军，朱丽虹，陈国龙，高玉琳，陈忠，一种光电探测器绝对光谱响应的校准方法及其装置，专利号：201210395731.1， 公开日：2013.02.06
★ 吕毅军，朱丽虹，陈国龙，薛睿超，高玉琳，陈忠，光电探测器绝对光谱响应及校准测量软件，计算机软件著作权登记号：2013SR018298，证书号：软著登字第0524060号，批准日期：2013.2.28
★ 吕毅军，高玉琳，朱丽虹，薛睿超，陈国龙，陈忠，脉冲法LED热阻测试系统，计算机软件著作权登记号：2013SR018568，证书号：软著登字第0524330号，批准日期：2013.2.28
代表性论文
♦ L. H. Zhu, F. M. Zeng, W. Liu, Z. C. Feng, B. L. Liu*, Y.J. Lu, Y.L. Gao, and Z. Chen, Improved Quantum Efficiency in Semipolar InGaN/GaN Quantum Wells Grown on GaN Prepared by Lateral Epitaxial Overgrowth, IEEE Transactions on Electron Devices 60(11), 3573-3579, 2013.
♦ L. H. Zhu, W. Liu, F. M. Zeng, Y. L. Gao, B. L. Liu*, Y. J. Lu, and Z. Chen, Efficiency Droop Improvement in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes by Graded-Composition Multiple Quantum Wells, IEEE Photonics Journal, 5(2), 8200208(1-8) , 2013.
♦ W. Liu, L. H. Zhu*, F.M. Zeng, L. Zhang, W. C. Liu, X. Y. Li, B. L. Liu, and Z. C. Feng, Influence of GaN Barrier Thickness on Optical Properties of In-Graded InGaN/GaN Multiple Quantum Wells, Applied Physics Express, 6(8), 081001(1-4), 2013.
♦ Z. C. Feng, L.H. Zhu*, T. W. Kuo, C.Y. Wu, H. L. Tsai, B. L. Liu, and J. R. Yang, Optical and structural studies of dual wavelength InGaN/GaN tunnel-injection light- emitting diodes grown by metal-organic chemical vapor deposition, Thin Solid Films, 529, 269-274, 2013.
♦ 肖华，吕毅军，朱丽虹*，陈国龙，高玉琳，范贤光，薛睿超，陈忠, 传统白光LED与远程荧光粉白光LED的发光性能比较, 发光学报, 35(1) ,48-54,2013.
♦ X. Chen, P.F. Fang, B. Lin, B.L. Liu, and L. H. Zhu*, The Research on Extraction Efficiency of LED by Lateral Surface Triangle Roughening, 2012 International Symposium on Instrumentation & Measurement, Sensor Network and Automation (IMSNA). 2, 433-435, 2012.
♦ Y. Lin, Y.L. Gao, Y.J. Lu*, L. H. Zhu, Y. Zhang, Z. Chen*, Study of temperature sensitive optical parameters and junction temperature determination of light-emitting diodes, Applied Physics Letters, 100, 202108(1-4), 2012.
♦ J. H. Zhang, Y. L. Gao, Y. J. Lu*, L. H. Zhu, Z. Q. Guo, G. L. Chen, Z. Chen*, Transient Thermal Resistance Test of Single-Crystal-Silicon Solar Cell, IEEE Transactions on Electron Devices, 59(9)，2345-2349, 2012.
♦ 朱丽虹，蔡加法，李晓莹，邓彪，刘宝林*，In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱LED发光性能，物理学报，59(7), 594-599, 2010.
♦ L.H. Zhu, Q. H. Zheng, B. L. Liu*, Performance improvement of InGaN/GaN light-emitting diodes with triangular-shaped multiple quantum wells, Semiconductor Science and Technology 24(12)125003, 2009.
♦ L.H. Zhu, B. L. Liu*，Optical properties studies in InGaN/GaN multiple-quantum well，Solid-State Electronics, 53, 336-340, 2009.
♦ Q. H. Zheng, Y. A. Yin, L. H. Zhu, J. Huang, X. Y. Li and B. L. Liu*, Tailoring the hole concentration in superlattices based on nitride alloys, APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 222104 , 2009.